因应电子元件朝体积缩小、性能提升及环保节能的趋势，高度密集、高功率、高频或高热环境的电子元件，其散热通量甚至已高达100W/cm2以上，如发光二极体(LED)、金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)、绝缘闸双极性电晶体(IGBT)与雷射等元件，已成为相关业者主要开发的技术重点项目。因密集排列及长时间工作所产生之热能，于有限的封装散热空间内，若未适时排除于外，会因接面温度升高，将使元件性能及寿命降低，且材料间因高温热应力累积，势必衍生元件可靠度问题，故亟须以优良的散热封装设计与高导热材料加以消弭。
AlN取代陶瓷基板呼声高涨
氮化铝基板(AlN)在近年电子应用材料当中十分的热门，因为其具有高的热传导率(理论值为280W/mK，是氧化铝的五到八倍)、低的介电常数和介电损失、良好的电绝缘性，以及低的热膨胀系数(接近于矽的4.2×10-6/℃及砷化镓的5.7×10-6/℃)，且无氧化铍之毒性。因此氮化铝可应用范围相当广泛，例如可应用于半导体与微电子电路封装基板、高亮度LED晶片承载基板、车用电子与照明元件、高功率电子元件散热材料等方面，未来具有极大潜力可逐渐取代其他的陶瓷基板材料。
氮化铝基板属于六方晶系之纤锌矿(Wurtzite)结构，其原子间是以四面体配置的强共价键结合，故熔点高且热传性能佳，为少数具有高热传导率的非金属固体，因其符合低原子量、原子键结强、结晶结构简单、晶格振荡谐和性高等四项通则，热传导系数的理论值可达280W/mK。
氮化铝基板为近年来新型陶瓷材料领域的研究焦点之一，虽早在100多年前氮化铝粉末即被合成出来，但因其不易烧结的特性，使得当时氮化铝并未受到注意。由于氮化铝属于共价化合物，且熔点高、热扩散系数小，因此氮化铝粉末在烧结温度下很难烧结致密，而氮化铝的致密性则是影响其热传导能力的重要关键因子之一，致密性差的 氮化铝基板其热传导系数(K值)也较低。
氮化铝基板另一影响氮化铝热传导能力的因子为氮化铝的杂质含量，由于氮化铝对氧原子有强烈的亲和力，在制程中部分氧会溶入氮化铝晶格中而形成杂质缺陷，使热传导能力变差，这是因为晶格中的缺陷如杂质的存在，会造成声子的散射而使得热传导率明显降低。
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